半导体失效分析检测｜国联质检：精准定位芯片失效，报告全国认可

半导体芯片失效频发？失效分析检测是研发质控、良率提升、故障溯源的核心环节！国联质检作为CMA/CNAS 双资质第三方检测机构，深耕半导体失效分析领域，以全链条检测能力、国际标准参数、硬核技术实力，为芯片全生命周期质量保驾护航。

一、核心检测对象：覆盖半导体全产业链

• 晶圆 / 裸片：晶格缺陷、氧化层击穿、杂质污染、金属化层电迁移、线宽偏差

• 集成电路（IC）：开路 / 短路、ESD 静电损伤、闩锁效应、参数漂移、功能失效

• 分立器件：MOSFET/IGBT/ 二极管，导通电阻异常、击穿电压漂移、热阻失效

• PCBA / 封装芯片：封装分层、焊球脱落、引线键合失效、湿气侵入、热机械裂纹

• 半导体材料：硅片、光刻胶、靶材、封装料，成分不纯、结构异常、性能衰减

二、标准参数：国际对标，数据精准合规

✅ 国际标准IEC 60749、JESD22、MIL-STD-883、JEDEC JESD47、IPC 9251、ASTM F1241

✅ 国内标准GB/T 39910-2021、GB/T 2423、GJB 548B、SJ/T 11636-2023

✅ 核心检测参数

• 电学：漏电流（1pA-100nA）、阈值电压、导通电阻（0.1mΩ 起）、击穿电压、I-V/C-V 特性

• 失效：ESD（HBM/MM/CDM）损伤、电迁移、栅氧缺陷、短路 / 开路、闩锁效应

• 形貌：SEM/EDX、C-SAM 超声扫描、3D-XRay、FIB 切片、TEM 原子级分析

• 可靠性：HTOL（125℃/1000h）、TCT（-55℃~150℃/1000 次）、PCT 高压蒸煮、THB（85℃/85% RH）

三、国联质检：半导体失效分析硬核实力

1. 顶尖设备矩阵1000 + 台高精仪器，含 HR-TEM 透射电镜、FIB 聚焦离子束、SIMS 二次离子质谱、OBIRCH 微光显微镜、半导体参数分析仪，实现原子级缺陷定位。

2. 资深专家团队700 + 技术人员，核心团队15 + 年半导体失效分析经验，提供方案设计、测试、数据解读、故障诊断一站式服务。

3. 荣誉背书

• 2021 中国 TIC 机构 50 强第 22 位

• 2023 年度 TIC 优秀第三方检测机构坚如磐石奖

• 陕西省瞪羚企业、2025 陕西省上市后备企业（B 档）

• CMA/CNAS 双资质，报告国际互认、一次过审

4. 高效服务优势百元起测、快至3 天出报告，覆盖研发 / 生产 / 质控全场景，助力半导体企业快速定位失效、优化工艺、提升可靠性。

芯片质量无小事，失效分析检测是半导体产业的 “质量守门人"。国联质检以全场景检测、全标准覆盖、全实力保障，精准破解芯片失效难题，为 “中国芯" 高质量发展筑牢技术根基！